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美国TI具有保护，感测或电源管理功能的集成MOSFET和栅极驱动器解决方案。借助集成的FET解决方案，樱桃视频大全免费高清版下载的电机驱动器可提供有效的开关和电流控制，以大程度地提高单个芯片的输出电流能力。智能栅极驱动器集成了无源组件，以减小电路板尺寸，设计复杂性和成本，支持可调节的栅极驱动电流，灵活的MOSFET选择，效率，低EMI和小的电路板空间。

DRV835x美国TI驱动器产品特点如下：

9至100V，三重半桥变频器驱动器

集成降压稳压器
所谓的三路低端电流并联放大器
智能门驱动架构
可调摆率控制以实现EMI性能
V GS握手和少的死区时间插入以防止直通
50mA至1A初始源电流
100mA至2A的前置灌电流
通过强大的降低降低dV / dt
集成式螺杆驱动器电源
倍压系数泵，用于100％PWM转矩控制
低侧线性稳压器
集成LM5008A降压稳压​​器
6至95V工作电压范围
2.5至75V，350mA输出能力
集成三路电流分流放大器
可调增益（5、10、20、40 V / V）
双向或单向支持
6x，3x，1x和独立PWM模式
支持120°感应操作
提供SPI或硬件接口
低功耗睡眠模式（V VM = 48V时为20 µA ）
集成保护功能
VM欠压锁定（UVLO）
无人机驱动器电源欠压（GDUV）
MOSFET V DS过流保护（OCP）
防止MOSFET击穿
门驱动器故障（GDF）
热警告和关闭（OTW / OTSD）
故障状态指示灯（nFAULT）

美国TI  DRV835x系列设备是用于三相无刷直流（BLDC）电机应用的高度集成的栅极驱动器。这些应用包括BLDC电机的磁场定向控制（FOC），正弦电流控制和梯形电流控制。器件变体提供可选的集成电流分流放大器，以支持不同的电机控制方案，并提供降压调节器来为栅极驱动器或外部控制器供电。

美国TI  DRV835x采用智能栅极驱动（SGD）架构，以减少MOSFET摆率控制和保护电路通常必需的外部组件数量。SGD架构还优化了死区时间，以防止直通情况，通过MOSFET压摆率控制提供降低电磁干扰（EMI）的灵活性，并通过V GS监控器防止栅极短路情况。强大的栅极下拉电路有助于防止不必要的dV / dt寄生栅极导通事件

支持各种PWM控制模式（6x，3x，1x和独立），以简化与外部控制器的接口。这些模式可以减少电机驱动器PWM控制信号所需的控制器输出数量。该器件系列还包括1x PWM模式，可通过使用内部块换向表对BLDC电机进行简单的感应梯形控制。